三星电子（Samsung Electronics Co．）周四（10月7日）表示，将在2025年前实现2纳米晶体管工艺技术的商业化，以在芯片加工领域与规模更大的竞争对手台积电（TSMC）展开竞争。

据媒体报道，三星在今日举办的晶圆代工论坛上表示，2025年将开始量产2纳米芯片，明年上半开始生产客户设计的3纳米芯片，第二代的3纳米芯片则预期在2023年生产。

“我们将全面提供制造产能，在最先进的技术方面维持领先，持续在应用层面精进技术。” 三星晶圆代工部门总裁Choi sSi-young称。他表示，新冠疫情加速数字化，三星的客户和伙伴将得以在适当时机提供适当技术，开发硅应用的无限潜力。

三星表示，公司的GAA电晶体结构先进制程技术已经发展完备，明年可为客户量产3纳米芯片，2025年量产2纳米芯片。GAA制程生产的3纳米芯片与5纳米相较，性能增强30%，功耗减少50%。

三星同时也在持续改善鳍式电晶体（FinFET）制程技术，该公司表示，其17纳米FinFET制程芯片，与28纳米比较，性能增强39%，功率效率增强49%，面积减少43%。

据悉，三星今年晶圆代工论坛以线上虚拟会议方式召开，数天的活动预料吸引全球超过2000位客户与合作伙伴参与。

势要赶超台积电

三星计划量产第一代3纳米芯片的时间大约与台积电计划大批量生产这些芯片的时间相同。台积电总裁魏哲家今年6月时表示，3纳米工艺将于2022年下半年开始量产。

不过，值得注意的是，芯片代工市场的领导者台积电尚未公布其2纳米芯片的量产路线图。这也凸显出三星正努力缩小与台积电的市场份额差距，并势要在先进芯片制造领域赶超台积电的野心。若三星先于台积电引入更先进的工艺技术，无疑将吸引谷歌、高通和苹果等主要全球客户。

市场研究公司Counterpoint research的数据显示，从营收来看，作为全球第二大代工厂商，三星第二季度占据芯片全球代工市场14%的份额，远低于台积电的58%。

三星希望在2030年之前投资133万亿韩元（约合1160亿美元），以成为全球最大的半导体代工企业。而台积电也已表示，未来三年将向代工业务投资1000亿美元，以巩固其市场领先地位。

在三星与台积电展开激烈厮杀的同时，美国科技巨头英特尔（Intel Corp．）也在进军芯片代工领域。今年3月，英特尔宣布在芯片业务上投资数十亿美元，并表示其目标是在2024年之前生产出1.8纳米芯片。不过，行业观察人士表示，这一目标可能遥不可及。

与此同时，一些电动汽车制造商（如特斯拉）以及科技公司（如苹果）也表示，将自主生产汽车芯片，以减少对芯片制造商的依赖。

据半导体市场研究公司IC Insights预测，到2025年，全球芯片代工市场规模将从今年的1072亿美元增长到1512亿美元。